國(guó)際電子商情訊，美光科技近日宣布啟動(dòng)重大組織架構(gòu)重組，并透露其下一代HBM4技術(shù)量產(chǎn)時(shí)間表，劍指2026年實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。
在人工智能浪潮推動(dòng)下，高帶寬內(nèi)存（HBM）正成為存儲(chǔ)巨頭的戰(zhàn)略要地。為加速追趕行業(yè)龍頭SK海力士，美光科技近日宣布啟動(dòng)重大組織架構(gòu)重組，并透露其下一代HBM4技術(shù)量產(chǎn)時(shí)間表，劍指2026年實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。
美光將業(yè)務(wù)劃分為四大核心部門(mén)：
此次調(diào)整旨在強(qiáng)化對(duì)AI關(guān)鍵客戶的服務(wù)能力。據(jù)韓媒etnews分析，CMBU的設(shè)立凸顯美光對(duì)云巨頭定制需求的重視，而CDBU與CMBU的分工則精準(zhǔn)切分超大規(guī)模客戶與OEM客戶的差異化需求。
為突破當(dāng)前HBM堆疊技術(shù)瓶頸，美光正加速推進(jìn)下一代“Fluxless無(wú)焊劑鍵合”技術(shù)?。根據(jù)業(yè)內(nèi)人士近日透露，美光公司將從今年第二季度開(kāi)始與各大后處理設(shè)備公司合作，對(duì)無(wú)助焊劑設(shè)備進(jìn)行質(zhì)量測(cè)試。
據(jù)了解，目前美光公司正在采用NCF（非導(dǎo)電粘合膜）工藝來(lái)制造HBM。該方法涉及將NCF材料插入每個(gè)DRAM堆棧，再使用TC粘合機(jī)通過(guò)熱壓縮將其連接起來(lái)其原理是NCF受熱熔化，連接DRAM之間的凸塊，固定整個(gè)芯片。
不過(guò)，現(xiàn)行NCF工藝在12層以上HBM3E堆疊中面臨材料填充不均、邊緣溢膠等問(wèn)題，難以滿足HBM4（預(yù)計(jì)12-16層）更高密度需求。而根據(jù)制造商設(shè)備的不同，F(xiàn)luxless技術(shù)通過(guò)等離子體或甲酸等不同處理方式替代傳統(tǒng)助焊劑，直接去除凸塊氧化層，可提升堆疊可靠性與良率。
如今，美光已與核心設(shè)備商達(dá)成深度合作。據(jù)The Elec報(bào)道，韓美半導(dǎo)體將向美光交付約50臺(tái)熱壓TC鍵合機(jī)，遠(yuǎn)超2024年的交付量，為美光的HBM3E擴(kuò)產(chǎn)鋪路；下一代HBM4產(chǎn)線設(shè)備采購(gòu)與測(cè)試同步推進(jìn)，目標(biāo)2026年量產(chǎn)，2027-2028年推出更先進(jìn)的HBM4E。
?目前，美光12層HBM3E已向英偉達(dá)B300芯片供貨，但市場(chǎng)份額仍落后于SK海力士。據(jù)韓媒分析，此次重組與技術(shù)迭代雙管齊下，意在通過(guò)?“定制化服務(wù)+前沿技術(shù)”組合拳爭(zhēng)奪AI芯片巨頭訂單。而三星電子同期啟動(dòng)的無(wú)焊劑技術(shù)測(cè)試，則預(yù)示HBM4賽道將迎來(lái)更激烈的技術(shù)博弈。
?美光CEO Sanjay Mehrotra表示，新架構(gòu)將于2025年5月生效，同期啟用新財(cái)務(wù)報(bào)告體系。隨著HBM在AI服務(wù)器中的滲透率持續(xù)攀升（TrendForce統(tǒng)計(jì)，2023年HBM占DRAM總產(chǎn)值的只有8%，2024年激增至21%，到2025年占比預(yù)計(jì)將超過(guò)30%），美光此番戰(zhàn)略調(diào)整或?yàn)槠湓谌f(wàn)億級(jí)AI存儲(chǔ)市場(chǎng)中贏得關(guān)鍵席位。
信息來(lái)源:ESM China
日期：2025年4月24日
