國際電子商情訊，4月1日上午，意法半導體微信公眾號(ST)發文表示，公司與英諾賽科簽署了一項氮化鎵(GaN)技術開發與制造協議，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。
2025年4月1日上午，ST在微信公眾號官宣與英諾賽科在GaN方面的合作
根據協議，雙方將合作推進氮化鎵功率技術的聯合開發計劃，并在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車、工業電源系統等領域得到廣泛應用的光明前景。
同時，8英寸高性能低成本硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制造企業英諾賽科，可借助ST在中國以外地區的前端制造產能生產其氮化鎵晶圓，而ST也可借助英諾賽科在中國的前端制造產能生產其自有的氮化鎵晶圓。
ST方面表示，雙方共同的目標是依托這種靈活的供應鏈布局，拓展各自的氮化鎵產品組合和市場供應能力，提升供應鏈韌性，從而滿足更廣泛的應用場景下的各種客戶需求。
意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產品部（APMS）總裁Marco Cassis評價道，ST與英諾賽科均為IDM，此次合作將最大化發揮IDM這一模式的優勢，為全球客戶創造價值。一方面，ST將加速氮化鎵功率技術部署，進一步完善現有的硅(Si)和碳化硅(SiC)產品組合；另一方面，ST也將通過靈活的制造模式更好地服務于全球客戶。
另外，英諾賽科董事長兼創始人駱薇薇博士也指出，此次與ST的戰略合作將進一步擴大和加速氮化鎵技術普及，雙方團隊將共同致力于開發下一代氮化鎵技術。
目前，氮化鎵功率器件已在消費電子、數據中心、工業電源與光伏逆變器領域迅速普及，并因其顯著的輕量化優勢，被積極應用于下一代電動汽車動力系統設計中。
最近一年來，ST在氮化鎵領域的布局動作頻頻，展現出其對這一新興技術的高度重視和積極投入。
2024年12月，ST于2024年宣布對英諾賽科進行戰略投資，雙方合作聚焦于GaN技術研發，而非單純財務投資，標志著ST在氮化鎵市場的進一步深入布局。英諾賽科2024年總營收達8.285億元，同比增長39.8%，其中GaN分立器件及集成電路業務收入3.608億元（同比+87.8%）。
2025年1月，ST發布了MasterGaN-L系列(包含?MasterGaN1L?、?MasterGaN4L?等型號)，這?是其氮化鎵功率器件產品線的優化升級版本，主要針對高頻應用和能效提升需求。新增型號覆蓋功率范圍從?200W至5.5kW?，適配不同拓撲結構。該系列通過?高頻優化?和?系統級集成?，進一步鞏固了ST在GaN功率器件領域的競爭力。
2025年4月1日，ST與英諾賽科正式簽署了氮化鎵功率技術的聯合開發協議。根據協議，雙方將合作推進氮化鎵功率技術的聯合開發計劃，并在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車、工業電源系統等領域得到廣泛應用。
ST的這些布局動作表明，其正在通過多種方式加速氮化鎵技術的部署，完善現有的硅和碳化硅產品組合，以滿足更廣泛的應用場景下的各種客戶需求。同時，ST也在通過靈活的制造模式更好地服務于全球客戶，提升供應鏈韌性，從而在全球半導體市場中保持競爭力。
信息來源:ESM China
日期：2025年4月2日
