三星代工業(yè)務(wù)部門將于6月12日至13日在美國(guó)硅谷舉辦代工與SAFE論壇。屆時(shí),其將公布其最新的技術(shù)路線圖,1nm量產(chǎn)計(jì)劃將從2027年提前到2026年。
三星原本計(jì)劃在 2027 年量產(chǎn) SF1.4 工藝,而最新報(bào)道稱將提前至 2026 年。
據(jù)悉,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部計(jì)劃于 6 月 12 日至 13 日在美國(guó)硅谷舉辦晶圓代工和 SAFE 論壇,屆時(shí)將公布其技術(shù)路線圖和加強(qiáng)晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)的計(jì)劃。
根據(jù)三星之前的路線圖,2 納米 SF2 工藝將于 2025 年亮相。與 3 納米的第二代 3GAP 工藝相比,在相同頻率和復(fù)雜度的情況下,它的能效提高了 25%,在相同功耗和復(fù)雜度的情況下,它的性能提高了 12%,同時(shí)芯片面積減少了 5%。
臺(tái)積電計(jì)劃在 2027 年達(dá)到 A16 節(jié)點(diǎn)(1.6 納米)。根據(jù) TechNews 此前援引國(guó)外媒體的報(bào)道,臺(tái)積電預(yù)計(jì)將于 2027-2028 年左右開始量產(chǎn) 1.4 納米。
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日期:2024年5月31日